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H5MS2G22AFR-E3 发布时间 时间:2025/9/1 16:56:16 查看 阅读:8

H5MS2G22AFR-E3是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM芯片,属于高密度动态随机存取存储器系列。该芯片以其高性能和稳定性广泛应用于计算机系统、嵌入式设备和工业控制领域。H5MS2G22AFR-E3采用先进的DRAM技术,提供较大的存储容量和较高的数据存取速度,满足现代电子设备对内存性能的高要求。

参数

存储容量:256MB
  数据总线宽度:16位
  时钟频率:166MHz
  工作电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  内存类型:DRAM
  内存组织结构:2M x 16位

特性

H5MS2G22AFR-E3具备多项先进的技术特性,使其在各类应用中表现出色。首先,该芯片采用TSOP封装技术,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适合高密度电路板设计。其次,其工作电压范围较宽(2.3V至3.6V),提高了在不同电源条件下的兼容性和稳定性。此外,H5MS2G22AFR-E3支持高速数据访问,时钟频率可达166MHz,适用于需要快速数据处理的场景。该芯片还具备低功耗设计,有助于延长电池供电设备的续航时间。最后,H5MS2G22AFR-E3具有较强的抗干扰能力和可靠性,适合在工业环境和恶劣条件下使用。

应用

H5MS2G22AFR-E3广泛应用于多个领域,包括工业计算机、通信设备、网络路由器、存储设备、嵌入式系统等。在工业控制领域,该芯片可作为主控单元的内存扩展,提高系统运行效率。在通信设备中,H5MS2G22AFR-E3可提供高速缓存支持,优化数据传输性能。此外,该芯片还可用于消费类电子产品,如数字电视、机顶盒和游戏设备,满足对内存性能的高要求。

替代型号

H5MS2G22AMR-E3,H5MS2G22ATS-E3,H5MS2G22AFR-E4

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