您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI9803DY-T1-E3

SI9803DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/7/8 23:09:25 查看 阅读:12

SI9803DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TSSOP-6 封装。该器件主要用于需要高效开关性能的应用场景,例如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电池保护电路等。其低导通电阻和高效率特性使其成为便携式电子设备的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:3A
  导通电阻(典型值):5mΩ
  栅极电荷:7.5nC
  开关频率:最高可达 2MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TSSOP-6

特性

SI9803DY-T1-E3 的主要特性包括低导通电阻,这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
  此外,该器件具有快速开关速度,能够适应高频应用需求,从而减小外部元件的尺寸。
  其高雪崩能量能力和稳健的短路耐受能力确保了在异常条件下仍能可靠运行。
  由于采用了小型封装设计,该器件非常适合空间受限的应用环境。
  此外,它符合 RoHS 标准,环保且适用于全球市场。

应用

SI9803DY-T1-E3 广泛应用于消费电子和工业领域,具体应用包括:
  1. 手机和平板电脑中的负载开关
  2. USB 充电器及适配器中的同步整流
  3. 便携式设备的电池保护电路
  4. 开关模式电源(SMPS)
  5. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流开关
  6. 电机驱动电路中的功率级开关
  7. 一般用途的功率转换和逆变器应用

替代型号

SI9804DY, SI2304DS, AO3400A

SI9803DY-T1-E3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价