RTQ5756BWSC(00W).TR 是一款由 Renesas(瑞萨电子)推出的高效 MOSFET 功率晶体管。该器件采用先进的制程技术制造,适用于各种高效率开关电源、电机驱动以及负载切换等应用。其设计旨在提供卓越的导通电阻性能和快速开关特性,同时具备出色的热稳定性和可靠性。
该型号属于瑞萨 RT 系列功率 MOSFET,主要面向工业和消费类市场,适合需要高能效和紧凑设计的应用场景。
类型:N沟道 MOSFET
封装:TO-252 (DPAK)
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ @ Vgs=10V
总功耗(Ptot):125W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
栅极电荷(Qg):35nC
反向恢复时间(trr):85ns
RTQ5756BWSC(00W).TR 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
2. 快速开关速度,降低开关损耗,非常适合高频开关应用。
3. 高额定电流能力 (40A),可支持大功率负载。
4. 小型化 TO-252 封装,节省 PCB 布局空间。
5. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),适应多种环境条件。
6. 内置 ESD 保护功能,增强器件可靠性。
7. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
这些特性使得该器件在高性能 DC-DC 转换器、电机控制、负载开关和其他功率管理应用中表现出色。
RTQ5756BWSC(00W).TR 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 各种电机驱动电路,包括直流无刷电机 (BLDC) 和步进电机。
3. 负载切换和保护电路,例如服务器、通信设备中的电源管理。
4. 汽车电子系统中的电池管理模块和逆变器。
5. 工业自动化设备中的功率级控制。
由于其出色的性能和可靠性,这款 MOSFET 在众多高要求应用场景中被广泛采用。
RTQ5756BWSM(00W).TR, RTQ5756BWSH(00W).TR