时间：2025/5/14 16:55:55
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SI1060-A-GM 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 公司旗下品牌）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型表面贴装封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种高效能开关应用。其主要设计目的是在功率转换电路、负载开关和电机驱动等领域中提供出色的性能表现。
该器件的最大特点是低导通电阻和高效率，使其成为便携式电子设备、通信电源以及工业控制系统的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻（典型值）：75mΩ
栅极电荷：10nC
输入电容：390pF
功耗：2.1W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
SI1060-A-GM 提供了低导通电阻以减少传导损耗，同时具备快速开关能力，能够有效降低开关损耗。此外，该器件还具有以下特点：
1. 超低的 Qg 和 Ciss 参数确保更快的开关速度和更高的效率。
2. 小型 SOT-23 封装适合空间受限的设计。
3. 高雪崩能力和高可靠性设计使其能够在严苛的工作条件下稳定运行。
4. 符合 RoHS 标准，环保且易于焊接。
这些特性使 SI1060-A-GM 成为需要高性能和高效率的应用的理想选择。
SI1060-A-GM 的典型应用场景包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和 DC-DC 转换。
2. 手机充电器和适配器中的开关元件。
3. 电池管理系统的负载开关。
4. 电机驱动和小型马达控制。
5. 工业自动化设备中的信号切换。
6. LED 驱动器和其他消费类电子产品中的功率调节模块。
由于其高效的性能和紧凑的封装，该器件非常适合对空间和能耗要求较高的设计。
SI1061DP, BSS138, AO3400
