SI9529DY-T1-E3 时间：2025/6/18 22:49:48 阅读：3

SI9529DY-T1-E3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen IV 技术，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适用于高频开关应用和高效能电源转换场景。
　　其封装形式为 PowerPAK 8x8，能够提供卓越的散热性能和电流承载能力。这款 MOSFET 通常用于 DC-DC 转换器、负载点转换器 (POL)、同步整流以及电池供电类设备中。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：74A
　　导通电阻：0.6mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　栅极电荷：49nC（典型值）
　　反向恢复时间：16ns（典型值）
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装类型：PowerPAK 8x8

特性

SI9529DY-T1-E3 具有非常低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体效率。其优化的栅极电荷设计使其能够在高频条件下保持较低的开关损耗。
　　同时，TrenchFET Gen IV 技术的应用确保了该器件在高温下的稳定性及可靠性。由于其高电流能力和紧凑的封装尺寸，这款 MOSFET 成为现代高效能功率转换应用的理想选择。
　　此外，它还具备快速的开关速度和较短的反向恢复时间，从而进一步降低了能量损失，并允许更高的开关频率操作。

应用

该 MOSFET 广泛应用于各种需要高效能和高频工作的场景，包括但不限于：
　　1. 开关模式电源 (SMPS)
　　2. DC-DC 转换器
　　3. 同步整流电路
　　4. 电机驱动控制
　　5. 工业逆变器和 UPS 系统
　　6. 笔记本电脑和其他便携式电子设备中的负载点转换器 (POL)
　　这些应用都得益于 SI9529DY-T1-E3 的低导通电阻和快速开关性能，以实现高效的电力传输和管理。