时间：2025/5/21 21:23:17
阅读：5
GA0603H682JBXAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等高效率应用。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统的整体效率并降低发热。此外，其封装形式专为散热优化设计，适合在高温环境下稳定运行。
型号：GA0603H682JBXAT31G
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ
栅极电荷（Qg）：45nC
反向恢复时间（trr）：75ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
GA0603H682JBXAT31G 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（2.5mΩ），可有效降低导通损耗。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适用于高效能电源转换系统。
3. 高额定电流（30A），能够承受较大的负载。
4. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），确保在恶劣环境下的稳定性。
5. 优化的热性能封装，提升散热效果，延长使用寿命。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC 转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 新能源汽车中的电池管理系统（BMS）和逆变器。
6. 高效 LED 驱动器和其他需要大电流、低损耗的应用场景。
GA0603H682JBXAT31GA, IRFZ44N, FDP5500
