您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 2SJ461-T1B

2SJ461-T1B 发布时间 时间:2025/5/13 9:32:09 查看 阅读:7

2SJ461-T1B是一种高性能的NPN型双极结型晶体管(BJT),广泛应用于高频和高功率放大电路中。该晶体管具有低噪声、高增益以及良好的线性度,适合用于射频(RF)和微波通信系统中的信号放大、混频以及其他功能模块。其设计优化了在高频下的工作性能,同时具备较高的击穿电压和较低的饱和压降。

参数

集电极-发射极击穿电压:60V
  集电极最大电流:1A
  集电极-基极击穿电压:50V
  发射极-基极击穿电压:7V
  最大耗散功率:30W
  特征频率(fT):8GHz
  存储温度范围:-55℃至+150℃
  工作温度范围:-55℃至+125℃

特性

2SJ461-T1B采用硅平面工艺制造,具有出色的高频特性和热稳定性。
  它的高增益和低噪声使其非常适合于射频和中频放大器的应用场景。
  晶体管还具有良好的抗干扰能力,在复杂的电磁环境中能够稳定运行。
  此外,其封装形式经过优化,可有效降低寄生参数对高频性能的影响。
  由于其较高的击穿电压和大电流承载能力,该器件能够在较宽的工作条件下保持可靠性。

应用

2SJ461-T1B主要应用于高频通信设备中,包括无线基站、卫星通信系统、雷达设备等。
  它也可以用作功率放大器的核心元件,特别是在需要高效率和高线性度的情况下。
  此外,该晶体管适用于混频器、振荡器以及其他射频信号处理电路的设计。
  其广泛的适用性使得2SJ461-T1B成为许多高性能电子设备中的关键组件。

替代型号

2SC3358, MRF277

2SJ461-T1B推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价