SI9433ADY-T1-E3 时间：2025/5/27 19:08:13 阅读：10

SI9433ADY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有极低的导通电阻和优秀的开关性能，适用于高效率、高密度的开关电源和电机驱动等应用领域。
　　该器件封装为 thermally enhanced PowerPAK? 8x8 封装，具有出色的散热性能，能够有效降低热阻并提高功率密度。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：25A
　　导通电阻（典型值）：1.5mΩ
　　栅极电荷：45nC
　　输入电容：2700pF
　　工作结温范围：-55℃ to +175℃
　　封装形式：PowerPAK? 8x8

特性

SI9433ADY-T1-E3 使用了 Vishay 的 TrenchFET 第三代技术，具备以下特点：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在 10V 栅极驱动下仅为 1.5mΩ，可显著减少导通损耗。
　　2. 较低的栅极电荷 (Qg) 和输出电荷 (Qoss)，有助于实现快速开关并降低开关损耗。
　　3. 高额定电流能力 (25A)，适合多种高功率应用场景。
　　4. 良好的雪崩能力和耐用性，可在恶劣条件下稳定运行。
　　5. PowerPAK? 8x8 封装提供了卓越的散热性能，支持更高的功率密度和更小的设计体积。
　　6. 宽温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适应极端环境下的使用需求。

应用

SI9433ADY-T1-E3 适用于以下应用：
　　1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
　　2. DC/DC 转换器中的功率级开关。
　　3. 电机驱动电路中的功率开关。
　　4. 电池保护和负载切换。
　　5. 通信设备和工业自动化中的功率管理模块和高电流能力使其成为高性能功率转换和控制的理想选择。