时间：2025/6/17 0:06:23
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SI9407AEY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用小型表面贴装 TO-252 (DPAK) 封装，适合高效率开关应用。这款器件因其低导通电阻和快速开关特性而广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电源管理等领域。
该器件支持较低的驱动电压，非常适合电池供电系统和其他需要低功耗运行的应用场景。
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：38A
导通电阻(RDS(on))：7mΩ（在 VGS=10V 时）
栅极电荷(Qg)：7nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252(DPAK)
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
SI9407AEY-T1-E3 提供了非常低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
该器件支持高达 60V 的漏源电压，使其适用于多种电压等级的电路设计。
其栅极驱动电压范围较宽，能够在低至 4.5V 的条件下有效开启，从而适配各种逻辑电平信号。
快速开关性能使得 SI9407AEY-T1-E3 在高频应用中表现出色，同时减少了开关过程中的能量损失。
此外，该器件具有出色的热稳定性和可靠性，能够承受高温环境下的长期运行。
该 MOSFET 常用于以下领域：
- DC-DC 转换器
- 开关模式电源(SMPS)
- 电池管理系统(BMS)
- 电机驱动与控制
- 工业自动化设备
- 笔记本电脑及平板电脑中的电源管理
- 消费类电子产品中的负载开关功能
SI9405DY, IRF7843, AO3400
