时间：2025/7/9 17:32:18
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RF21N6R8B251CT 是一款高性能的射频功率晶体管，专为高频无线通信应用设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，能够提供高增益、高效率和高线性度的性能表现，适用于基站、无线电设备和其他射频功率放大器系统。
其内部结构经过优化，支持宽带操作并具有出色的散热能力，确保在各种复杂环境下稳定工作。
型号：RF21N6R8B251CT
类型：射频功率晶体管
封装形式：表面贴装（SMD）
工作频率范围：30 MHz 至 300 MHz
输出功率：50 W（典型值）
增益：12 dB（典型值）
最大集电极功耗：75 W
集电极-发射极击穿电压：65 V
最大电流：8 A
插入损耗：≤ 0.5 dB
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
工作温度范围：-40°C 至 +100°C
RF21N6R8B251CT 提供了卓越的射频性能，包括高输出功率和增益，非常适合需要高效能量转换的应用场景。此外，它还具备以下特点：
1. 高可靠性：通过严格的测试筛选，确保长期使用的稳定性。
2. 宽带兼容性：覆盖多个频段，减少对不同元件的需求。
3. 热管理优化：内置高效的热传导路径，有助于降低运行时的温度积累。
4. 易于集成：紧凑型封装设计便于在空间有限的电路板上安装。
5. 抗干扰能力强：即使在存在较强电磁干扰的情况下也能保持稳定的信号传输质量。
RF21N6R8B251CT 广泛应用于以下领域：
1. 无线通信基础设施中的射频功率放大器模块。
2. 海事、航空及地面移动无线电系统。
3. 工业、科学和医疗 (ISM) 射频设备。
4. 军用雷达和电子对抗装置。
5. 业余无线电爱好者自制发射机或实验平台。
6. 各种类型的射频能量发生器，例如等离子体激发源。
RF21N6R8B250CT, RF21N6R8B260CT, RF21N6R8B270CT
