时间：2025/8/23 6:00:16
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SKN2F50/08UNF 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高功率开关应用，具有优异的导通电阻和快速开关特性。该型号采用先进的制造工艺，确保在高电流和高电压环境下依然具有良好的稳定性和可靠性，广泛应用于电源管理、工业控制、电机驱动和电源转换系统等领域。
类型：N沟道
漏极电流（ID）：50A
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.08Ω
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
SKN2F50/08UNF 具备极低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高耐压特性（VDS=500V）使其适用于高电压工作环境，如工业电源和电机控制系统。此外，该MOSFET采用先进的沟槽式结构，提升了开关速度并减少了开关损耗，有利于高频应用的实现。
该器件还具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高电流负载下保持稳定的性能。其封装形式（TO-247）提供了良好的散热性能，有助于延长器件的使用寿命。此外，SKN2F50/08UNF 支持快速开关操作，适用于DC-DC转换器、逆变器、马达控制和功率因数校正（PFC）等应用场合。
SKN2F50/08UNF 常用于各类高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、逆变器、马达控制、工业自动化设备、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等。其高耐压和低导通电阻特性也使其在高压DC-DC转换器和功率因数校正电路中表现出色。此外，该MOSFET还可用于各类高效率电源适配器和LED照明驱动电路。
STW20NK50Z, IRF250, FDPF50N50, IPW60R080E128CFD
