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203263 发布时间 时间:2025/8/8 11:35:53 查看 阅读:30

203263是一种高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理和功率转换应用。这种晶体管具有高耐压和大电流承载能力,使其成为各种工业和消费类电子产品中的理想选择。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):9A
  功耗(Pd):125W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220

特性

203263 MOSFET具有多项优良特性。首先,其高耐压能力(600V)使其适用于高电压环境,如电源供应器和电机驱动。其次,高达9A的连续漏极电流允许其在高功率应用中稳定工作。此外,该器件具有低导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗并提高整体效率。该晶体管还具备良好的热稳定性和散热能力,确保在高负载条件下长时间运行的可靠性。最后,203263采用TO-220封装,便于安装和散热,适合广泛的应用场景。
  在电气特性方面,203263具有快速开关能力,能够有效减少开关损耗,提高系统效率。其栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V至20V驱动电路,从而简化了驱动电路的设计。此外,该器件的短路耐受能力较强,能够在突发故障情况下提供额外的安全保障。

应用

203263 MOSFET常用于多种功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机控制和照明系统。在开关电源中,它作为主开关元件,负责高效的能量转换。在电机控制应用中,它用于调节电机的速度和扭矩。此外,203263也适用于高电压LED驱动电路和工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

IRF840, FQA9N60C

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203263参数

  • 制造商Phoenix Contact
  • 产品Barrier Terminal Blocks
  • 工厂包装数量10