型号：Si8430-BIS
　　通道数：4
　　方向配置：4通道单向
　　数据速率：150 Mbps
　　供电电压（VCC）：2.7V 至 5.5V
　　隔离耐压：2500 Vrms（1分钟，UL 1577）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：>50 kV/μs（典型值）
　　传播延迟：3.5 ns（典型值）
　　脉冲宽度失真：≤1.5 ns
　　电源电流（每通道）：1.2 mA（典型值）
　　绝缘材料：聚酰亚胺（Polyimide）
　　封装类型：SOIC-16（宽体）
　　安全认证：UL 1577、IEC 60747-5-2、VDE 0884-10

Si8430-BIS的核心特性之一是其基于硅基电容隔离技术的高可靠性隔离机制。与传统的光电耦合器相比，该技术避免了LED老化和温度漂移问题，显著提升了长期运行的稳定性。每个隔离通道由高频载波调制器和精密解调器组成，输入端的逻辑信号被转换为高频差分信号，通过微细加工的电容隔离层进行传输，再在输出端还原为原始逻辑状态。这种架构不仅实现了高达150 Mbps的数据速率，还保证了极低的传播延迟和通道间偏斜，确保高速信号完整性。此外，该器件具备优异的共模瞬态抗扰度（CMTI），超过50 kV/μs，使其在电机驱动、逆变器和开关电源等存在剧烈电压波动的应用中仍能可靠工作，防止误触发或数据错误。
　　另一个关键特性是其宽电压工作范围（2.7V至5.5V），允许Si8430-BIS与多种逻辑电平系统（如3.3V和5V）无缝接口，增强了设计灵活性。所有通道均具有独立的电源域，支持不同电压之间的电平转换功能，例如将微控制器侧的3.3V信号隔离后驱动5V侧的执行器或接口电路。该器件还集成了故障安全输出功能，在输入信号丢失或电源异常时，输出端可预设为高电平或低电平状态，提升系统安全性。其低功耗设计使得每通道静态电流仅为1.2mA左右，显著低于传统光耦，有助于降低系统整体功耗，尤其适合对能效敏感的应用场景。
　　在安全与合规性方面，Si8430-BIS满足多项国际隔离标准，包括UL 1577、IEC 60747-5-2以及VDE 0884-10 Class 1&2要求，提供高达2500 Vrms的隔离耐压能力，持续时间为一分钟。其聚酰亚胺绝缘材料具有优异的耐热性和介电强度，能够在高温、高湿及强电磁干扰环境下长期稳定运行。SOIC-16宽体封装不仅提供了足够的爬电距离和电气间隙，还便于自动化生产和回流焊工艺，提高了制造效率和产品一致性。总体而言，Si8430-BIS凭借其高速、高可靠性、低功耗和强抗干扰能力，成为现代数字隔离应用中的优选方案。

Si8430-BIS广泛应用于需要高性能数字隔离的各种工业与电力电子系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）的数字I/O模块，实现现场设备与控制单元之间的电气隔离，防止地环路干扰和高压窜入损坏主控芯片。在电机驱动和逆变器系统中，该器件用于隔离微处理器发出的PWM控制信号与功率桥臂的驱动电路，保障控制侧的安全并提高系统的抗噪能力。在开关模式电源（SMPS）中，Si8430-BIS可用于反馈环路的隔离通信，特别是在数字电源和服务器电源中，确保隔离边界的信号完整性与响应速度。
　　在通信接口隔离方面，Si8430-BIS适用于RS-485、CAN、Profibus等工业总线系统的信号隔离，防止远距离传输中的地电位差导致的数据错误或设备损坏。其高CMTI特性特别适合在长电缆布线或高dv/dt环境中使用。在医疗电子设备中，该器件可用于患者连接接口的信号隔离，满足医疗安全标准对漏电流和隔离等级的严格要求。此外，在测试与测量仪器中，Si8430-BIS用于隔离高精度ADC或DAC的数字接口，避免数字噪声耦合到模拟前端，从而提升测量精度。
　　新能源领域也是其重要应用方向，例如在太阳能逆变器和电动汽车充电桩中，Si8430-BIS用于隔离MCU与DC-AC变换器之间的控制信号，确保高压侧故障不会影响低压控制电路。其宽温工作范围（-40°C至+125°C）使其能在极端环境条件下稳定运行，适用于户外或车载应用。总之，凡是在需要高速、高可靠性数字隔离的场合，Si8430-BIS都能提供卓越的性能和安全保障。

ISO7741
　　ADuM1401
　　MAX14850