时间：2025/8/21 16:00:51
阅读：31
SI8273ABD-IS1R 是 Silicon Labs 推出的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片，专为驱动高功率 MOSFET 和 IGBT 设计。该芯片采用 Silicon Labs 的专利数字隔离技术，提供高达 5kVRMS 的隔离电压，适用于工业电源、电机控制、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等高可靠性应用场景。
电源电压（VDD）：15V~30V
输出电流（峰值）：4.0A（拉电流）/6.0A（灌电流）
输入信号频率：最高可达 2MHz
传播延迟：典型值 60ns
隔离耐压：5kVRMS（符合 UL、CSA、IEC 标准）
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
封装类型：8引脚宽体 SOIC
SI8273ABD-IS1R 具备出色的抗干扰能力和稳定性能，采用双通道独立配置，适用于驱动高功率开关器件。其输入端兼容 3.3V 和 5V 逻辑电平，方便与多种微控制器或 PWM 控制器连接。芯片内部集成欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于安全阈值时自动关闭输出，防止器件工作在非理想状态。
此外，SI8273ABD-IS1R 采用数字隔离技术，具备高共模瞬态抗扰度（CMTI），确保在高压、高噪声环境下仍能稳定传输驱动信号。该芯片还具有低延迟特性，适用于高频开关应用，有助于提高系统效率和响应速度。
其宽体封装设计增强了爬电距离和电气隔离性能，满足工业级安全标准。芯片具备高集成度，减少了外围元件数量，简化了设计并提高了系统可靠性。
SI8273ABD-IS1R 主要用于需要高隔离性能和高驱动能力的功率电子系统中，例如电机驱动器、伺服控制器、光伏逆变器、储能系统、不间断电源（UPS）以及电动汽车车载充电器等。该芯片也适用于需要高压隔离和高速信号传输的工业自动化设备和电源转换模块。
在电机控制应用中，该芯片可有效驱动 MOSFET 或 IGBT 桥式结构，实现高效 PWM 控制；在新能源系统中，如太阳能逆变器和储能变流器，该芯片提供了可靠的隔离驱动解决方案，确保系统在高压环境下的稳定运行。
ADuM4223-AD, HCPL-J312, UCC21520
