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BSC0902NSI 发布时间 时间:2025/4/28 20:37:39 查看 阅读:20

BSC0902NSI是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于多种电源管理应用。其封装形式通常为SOT-23,能够满足小型化设计的需求。
  这种MOSFET的主要作用是在电路中用作电子开关或放大器。通过控制栅极电压,可以调节漏极和源极之间的电流流动,从而实现对负载的开关或调节功能。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±12V
  连续漏极电流:1.5A
  导通电阻:0.9Ω
  总功耗:410mW
  工作结温范围:-55℃ to 150℃

特性

BSC0902NSI具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),使其在开关状态下产生的功率损耗较小,提升了整体效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 小型SOT-23封装,有助于节省PCB空间并简化热管理设计。
  4. 较宽的工作温度范围,能够在恶劣条件下稳定运行。
  5. 高静电防护能力,增强了器件的可靠性。

应用

BSC0902NSI广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器,用于便携式设备的高效电源管理。
  3. 负载开关,在各种消费类电子产品中实现电源的精确控制。
  4. 电池保护电路,防止过充或过放电现象发生。
  5. 电机驱动器,适用于小型直流电机的速度和方向控制。

替代型号

BSC0902LSG
  BSS123
  AO3400

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BSC0902NSI参数

  • 数据列表BSC0902NSI
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.8 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 10mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1500pF @ 15V
  • 功率 - 最大48W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TDSON-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSC0902NSITRSP000854380