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SI8273AB-IM1 发布时间 时间:2025/7/14 15:13:30 查看 阅读:9

SI8273AB-IM1 是由 Silicon Labs 推出的一款高性能、双通道、隔离式栅极驱动器 IC。该芯片专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 设计,广泛应用于开关电源(SMPS)、电机控制、太阳能逆变器等高可靠性系统中。SI8273AB-IM1 采用 Silicon Labs 独家的数字隔离技术(Silicon Isolation),提供高达 5 kVRMS 的电气隔离,确保在高压环境下依然具备优异的稳定性和安全性。

参数

供电电压:4.5V 至 20V
  输出电流:每通道最大峰值电流 4.0A
  传播延迟时间:典型值为 60ns
  上升/下降时间:典型值分别为 10ns / 9ns
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  输入逻辑类型:CMOS/TTL 兼容
  输出通道数量:2(半桥结构)
  隔离耐压等级:5 kVRMS(符合 UL、CSA、IEC 认证)
  共模瞬态抗扰度(CMTI):>100kV/μs

特性

SI8273AB-IM1 在性能和可靠性方面具有多项突出特性。
  首先,其内部集成了高频变压器实现电隔离,避免了传统光耦合器老化和温漂的问题,从而显著提升了器件寿命和稳定性。此外,芯片支持宽电压范围输入(4.5V 至 20V),适应多种电源拓扑设计,并可在低电压条件下维持高效能表现。
  其次,SI8273AB-IM1 提供两个独立的栅极驱动通道,可配置为高低侧驱动器用于半桥或全桥结构。每个通道都能提供高达 4A 的峰值电流,适用于高速切换场景,同时具备较低的传播延迟(60ns 典型值)以及快速的上升和下降时间(分别约为 10ns 和 9ns),有助于减少开关损耗并提升系统效率。
  芯片还具备出色的抗干扰能力,其共模瞬态抗扰度(CMTI)大于 100kV/μs,能在复杂电磁环境中保持信号完整性。此外,它支持工业级温度范围(-40°C 至 +125°C),适合各种严苛环境下的应用。
  最后,SI8273AB-IM1 内部集成欠压锁定保护(UVLO),当供电电压低于安全阈值时自动关闭输出以防止误动作,进一步提高了系统的安全性和稳定性。

应用

SI8273AB-IM1 主要应用于需要高可靠性和电气隔离的功率电子系统中,如开关电源(DC-DC 转换器、AC-DC 电源模块)、电机驱动控制器(BLDC、PMSM)、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、车载充电器(OBC)以及工业自动化设备中的功率转换部分。由于其具备高驱动能力和优良的隔离性能,该芯片特别适用于需要承受高压、大电流及频繁开关操作的应用场合。

替代型号

ADuM4223BRIZ, IR2214PBF, UCC27531QDSCRQ1

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SI8273AB-IM1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥48.65000管件
  • 系列Si827x
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术射频耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)200kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)75ns,75ns
  • 脉宽失真(最大)8ns
  • 上升/下降时间(典型值)10.5ns,13.3ns
  • 电流 - 输出高、低1.8A,4A
  • 电流 - 峰值输出4A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电4.2V ~ 30V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳14-VDFN
  • 供应商器件封装14-QFN(5x5)
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE