SI8273AB-IM1 是由 Silicon Labs 推出的一款高性能、双通道、隔离式栅极驱动器 IC。该芯片专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 设计,广泛应用于开关电源(SMPS)、电机控制、太阳能逆变器等高可靠性系统中。SI8273AB-IM1 采用 Silicon Labs 独家的数字隔离技术(Silicon Isolation),提供高达 5 kVRMS 的电气隔离,确保在高压环境下依然具备优异的稳定性和安全性。
供电电压:4.5V 至 20V
输出电流:每通道最大峰值电流 4.0A
传播延迟时间:典型值为 60ns
上升/下降时间:典型值分别为 10ns / 9ns
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
输入逻辑类型:CMOS/TTL 兼容
输出通道数量:2(半桥结构)
隔离耐压等级:5 kVRMS(符合 UL、CSA、IEC 认证)
共模瞬态抗扰度(CMTI):>100kV/μs
SI8273AB-IM1 在性能和可靠性方面具有多项突出特性。
首先,其内部集成了高频变压器实现电隔离,避免了传统光耦合器老化和温漂的问题,从而显著提升了器件寿命和稳定性。此外,芯片支持宽电压范围输入(4.5V 至 20V),适应多种电源拓扑设计,并可在低电压条件下维持高效能表现。
其次,SI8273AB-IM1 提供两个独立的栅极驱动通道,可配置为高低侧驱动器用于半桥或全桥结构。每个通道都能提供高达 4A 的峰值电流,适用于高速切换场景,同时具备较低的传播延迟(60ns 典型值)以及快速的上升和下降时间(分别约为 10ns 和 9ns),有助于减少开关损耗并提升系统效率。
芯片还具备出色的抗干扰能力,其共模瞬态抗扰度(CMTI)大于 100kV/μs,能在复杂电磁环境中保持信号完整性。此外,它支持工业级温度范围(-40°C 至 +125°C),适合各种严苛环境下的应用。
最后,SI8273AB-IM1 内部集成欠压锁定保护(UVLO),当供电电压低于安全阈值时自动关闭输出以防止误动作,进一步提高了系统的安全性和稳定性。
SI8273AB-IM1 主要应用于需要高可靠性和电气隔离的功率电子系统中,如开关电源(DC-DC 转换器、AC-DC 电源模块)、电机驱动控制器(BLDC、PMSM)、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、车载充电器(OBC)以及工业自动化设备中的功率转换部分。由于其具备高驱动能力和优良的隔离性能,该芯片特别适用于需要承受高压、大电流及频繁开关操作的应用场合。
ADuM4223BRIZ, IR2214PBF, UCC27531QDSCRQ1