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DTA123JKAT146 发布时间 时间:2025/4/28 15:05:42 查看 阅读:3

DTA123JKAT146 是一款高性能的功率MOSFET晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性,能够显著提升电路效率并降低功耗。
  其封装形式为TO-220,适合于需要高效散热的应用场景。

参数

最大漏源电压:650V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:14A
  导通电阻:0.18Ω
  总功耗:150W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

DTA123JKAT146 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有效减少功率损耗。
  2. 快速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 高击穿电压设计,增强了器件在高压条件下的可靠性。
  4. 内置静电防护功能,提高了产品在实际使用中的抗干扰能力。
  5. 封装结构紧凑,具备良好的散热性能,适用于高温工作环境。

应用

DTA123JKAT146 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中作为主开关管。
  2. 工业控制中的电机驱动和负载切换。
  3. 不间断电源(UPS)系统中的功率转换。
  4. LED照明驱动电路中的功率调节。
  5. 各类家电产品的高压控制模块。

替代型号

IRF840
  FQP17N65
  STP14NK65Z

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DTA123JKAT146参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-SMT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTA123JKAT146TR