工作电压范围：15V 至 30V
　　输出峰值电流：5.0A（典型值）
　　传播延迟时间：85ns（典型值）
　　输入电源电压范围：3.3V 至 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　隔离电压：5.0kVRMS（符合 UL、CSA、VDE 标准）
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：150kV/μs（最小值）
　　输出电压摆幅：0V 至 VDD（轨到轨）
　　驱动器类型：双通道高速栅极驱动器
　　封装类型：8 引脚宽体 SOIC

Si823H8CD-IS3 采用 Silicon Labs 独家的数字隔离技术，基于 CMOS 工艺的电容隔离层，提供高可靠性与长寿命的电气隔离性能。该芯片具备高达 5kVRMS 的隔离电压，满足工业级安全标准，适用于高电压、高噪声环境下的功率驱动应用。
　　该芯片支持高达 5A 的峰值输出电流，能够快速驱动大功率 MOSFET 和 IGBT，降低开关损耗并提高系统效率。其传播延迟时间仅为 85ns，确保精确的开关控制时序，适用于高频开关应用。
　　Si823H8CD-IS3 集成了欠压保护（UVLO）功能，当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止功率器件在非理想状态下工作，提升系统稳定性与安全性。
　　芯片的输入接口兼容 3.3V 和 5V 控制信号，便于与各类微控制器、DSP 或 FPGA 连接，提高了设计的灵活性。其高共模瞬态抗扰度（CMTI）达到 150kV/μs，确保在恶劣电磁环境下依然稳定工作。
　　此外，Si823H8CD-IS3 采用宽体 SOIC 封装，符合 RoHS 标准，具备良好的热稳定性和机械强度，适用于工业、汽车、能源等多个领域的高可靠性系统设计。

Si823H8CD-IS3 广泛应用于各种电力电子系统中，包括工业电机驱动、伺服驱动器、变频器、逆变器、UPS（不间断电源）、DC-AC 电源转换器、太阳能逆变器、电动汽车充电模块等。
　　在电机控制领域，Si823H8CD-IS3 可用于三相逆变器中的半桥或全桥结构，驱动高功率 MOSFET 或 IGBT，实现高效、稳定的电机控制。
　　在电源系统中，该芯片适用于 LLC 谐振变换器、相移全桥变换器等拓扑结构，提供高速、高隔离度的栅极驱动解决方案。
　　在新能源领域，如光伏逆变器和储能系统中，Si823H8CD-IS3 能够提供可靠的栅极驱动能力，确保系统在高电压、高电流条件下的稳定运行。
　　此外，该芯片也适用于需要高隔离等级的工业自动化控制系统、智能电网设备和电焊机等高功率设备。

ADuM4223-AD, HCPL-J312, UCC21520, LM5155, NCP51561