类型：MOSFET（N沟道）
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　导通电阻（RDS(on)）：6.0mΩ（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：80nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：T7

MUBW50-06T7 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体系统效率。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，不仅提高了导通性能，还增强了器件的稳定性与可靠性。
　　此外，MUBW50-06T7 具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达 50A，适用于需要大电流驱动的应用场景。同时，其漏源电压额定值为 60V，能够满足多种中压功率应用的需求。
　　该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）为 80nC，这一参数对于开关性能至关重要。较低的栅极电荷意味着器件在开关过程中所需的驱动能量较少，从而减少了开关损耗，提高了系统的动态响应速度。
　　MUBW50-06T7 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，表现出良好的温度稳定性，适用于各种严苛的工作环境。其 T7 封装形式不仅体积小巧，便于 PCB 布局，而且适合表面贴装工艺，提高了生产效率和焊接可靠性。
　　ROHM 公司在功率 MOSFET 领域拥有丰富的经验和技术积累，MUBW50-06T7 凭借其高性能和高可靠性，成为工业控制、电源转换、电机驱动、汽车电子等领域的理想选择。

MUBW50-06T7 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子设备中。例如，在工业自动化领域，该器件可用于变频器、伺服驱动器和电源模块中，提供稳定的功率输出。
　　在电源管理方面，MUBW50-06T7 可用于直流-直流转换器、同步整流器和负载开关电路，帮助提高电源转换效率并减少热量产生。在电池供电设备中，如电动工具、无人机和储能系统，该 MOSFET 能够有效延长电池寿命并提升整体性能。
　　汽车电子是 MUBW50-06T7 的另一重要应用领域。它可用于车载充电器、DC-AC 逆变器、电动助力转向系统（EPS）以及新能源汽车的电池管理系统（BMS），确保车辆在各种工况下的稳定运行。
　　此外，MUBW50-06T7 还适用于消费类电子产品，如大功率 LED 照明、智能家居设备和工业机器人等，提供高效、可靠的功率控制解决方案。

SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, IPB06N0410ATMA1