类型：隔离式栅极驱动器
　　通道数：2通道（双通道）
　　隔离耐压：5 kVrms（符合UL认证）
　　工作电压：2.5V 至 5.5V（VDD）
　　最大输出电流：1.5A（峰值）
　　传播延迟：120ns（最大）
　　上升/下降时间：15ns（典型）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：8引脚宽体SOIC（WB SOIC）

Si8233CB-C-IM 是一款基于数字隔离技术的高性能栅极驱动器，其核心优势在于提供了优异的电气隔离性能和稳定性。该器件采用CMOS工艺制造，具备高抗噪能力，能够在高压和高电磁干扰环境下稳定工作。
　　该芯片的双通道结构支持独立控制，适用于半桥或全桥拓扑结构中的上下桥臂驱动。每个通道均具备高达1.5A的峰值输出电流，足以驱动大功率MOSFET或IGBT，确保快速开关以降低开关损耗。
　　其隔离电压达到5 kVrms，符合UL、CSA、IEC 60747-5-2等多项国际标准，能够有效隔离高压侧和低压侧电路，保障系统安全。同时，该芯片具备低传播延迟（最大120ns）和快速的上升/下降时间（典型15ns），可满足高频开关应用需求。
　　此外，Si8233CB-C-IM 具备宽工作电压范围（2.5V 至 5.5V），使其兼容多种控制系统的电压标准。工作温度范围为-40°C至+125°C，适用于工业级和汽车级应用场景。其8引脚宽体SOIC封装设计不仅节省空间，还提高了封装的耐压能力，适合高密度PCB布局。

Si8233CB-C-IM 主要应用于需要电气隔离的功率驱动系统中。典型应用包括电机控制、伺服驱动器、工业逆变器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动车充电系统以及工业自动化设备等。
　　在电机控制方面，Si8233CB-C-IM 可用于三相逆变器的上下桥臂驱动，提供高可靠性和高效率的开关控制。在UPS系统中，该芯片可驱动高频DC-AC变换器，提升系统效率和响应速度。在新能源领域，如光伏逆变器和电动车充电模块中，Si8233CB-C-IM 提供了安全可靠的隔离驱动方案，保障系统在高压环境下的稳定运行。
　　由于其优异的抗干扰能力和宽温度范围，该芯片也常用于恶劣工业环境下的自动化控制系统，如PLC、变频器和智能电表等设备中。

Si8230BB-C-IPR, Si8235AB-C-ISR, ADuM4223-1BRZ