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FDD770N15A 发布时间 时间:2025/6/3 13:00:53 查看 阅读:3

FDD770N15A 是一款由 Fairchild(现已被 ON Semiconductor 收购)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽技术,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适用于各种高效能开关应用。它主要设计用于需要高频开关和低损耗的场景,如电源适配器、DC-DC 转换器、电机驱动等。
  该芯片采用 TO-263 (DPAK) 封装形式,有助于提升散热效率并简化 PCB 布局设计。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:7.7A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:14nC
  开关速度:快速
  封装类型:TO-263 (DPAK)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C

特性

FDD770N15A 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用,减少开关损耗。
  3. 出色的热稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
  4. 小巧的 DPAK 封装形式,方便 PCB 布局并提供良好的散热性能。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 内置 ESD 保护功能,增强可靠性。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
  2. 电池管理系统 (BMS),用作负载切换或保护开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. LED 照明驱动电路中的功率调节。
  5. 各类消费电子产品的电源管理模块。
  6. 工业自动化设备中的功率转换和控制部分。

替代型号

FDP5580, IRFZ44N, STP75NF06

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FDD770N15A参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥9.22000剪切带(CT)2,500 : ¥3.90738卷带(TR)
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)77 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)11 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)765 pF @ 75 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)56.8W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252AA
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63