时间：2025/6/3 13:00:53
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FDD770N15A 是一款由 Fairchild（现已被 ON Semiconductor 收购）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于各种高效能开关应用。它主要设计用于需要高频开关和低损耗的场景，如电源适配器、DC-DC 转换器、电机驱动等。
该芯片采用 TO-263 (DPAK) 封装形式，有助于提升散热效率并简化 PCB 布局设计。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：7.7A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：14nC
开关速度：快速
封装类型：TO-263 (DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 150°C
FDD770N15A 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用，减少开关损耗。
3. 出色的热稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
4. 小巧的 DPAK 封装形式，方便 PCB 布局并提供良好的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 内置 ESD 保护功能，增强可靠性。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 电池管理系统 (BMS)，用作负载切换或保护开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. LED 照明驱动电路中的功率调节。
5. 各类消费电子产品的电源管理模块。
6. 工业自动化设备中的功率转换和控制部分。
FDP5580, IRFZ44N, STP75NF06
