时间：2025/9/12 12:55:07
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KGH25N120NDA是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率器件，由东芝公司生产。该型号适用于高电压和高电流的应用场合，例如工业电机驱动、变频器、UPS（不间断电源）和电力调节系统。其设计兼顾了高效能与可靠性，适用于需要稳定功率转换的场合。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压(Vce)：1200V
最大集电极电流(Ic)：25A
工作温度范围：-40℃至+150℃
短路耐受能力：有
封装形式：TO-247
KGH25N120NDA的IGBT技术结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT（双极型晶体管）的低导通压降特性，使其在高功率应用中表现优异。该器件具备良好的热稳定性和抗短路能力，适用于高可靠性和高效率要求的应用场景。此外，它具有低导通损耗和开关损耗，有助于提高系统效率并降低整体能耗。
在设计方面，该器件采用了优化的芯片结构和先进的封装技术，确保了在高电压和大电流条件下的稳定运行。其内置的快速恢复二极管减少了外部电路的复杂性，并简化了设计过程。这些特性使KGH25N120NDA在工业控制、能源管理和电动交通工具等领域具有广泛的应用前景。
KGH25N120NDA主要应用于工业电机控制、变频器、逆变器、UPS系统以及电力调节装置。它在电动汽车充电设备和可再生能源系统中也具有良好的性能表现，能够满足现代电力电子设备对高效率和高可靠性的需求。
TK25N120W5A
