供电电压：2.9 V 至 5.5 V
　　输出驱动电流：峰值电流可达4.0 A（拉电流/灌电流）
　　输入逻辑类型：兼容3.3 V和5 V逻辑电平
　　传播延迟：典型值为60 ns（最大100 ns）
　　脉宽失真：最大5 ns
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　隔离耐压：5 kVrms（符合UL1577标准）
　　绝缘耐压时间：1分钟
　　输出电压范围：0 V至30 V
　　最大开关频率：高达1 MHz
　　封装形式：8引脚SOIC宽体封装

Si8231AB-B-IS的核心优势在于其基于CMOS工艺的数字隔离技术，这使得芯片在提供高隔离等级的同时，保持了较低的功耗和较高的集成度。该芯片内部集成了两个独立的高速通道，每个通道都可以单独控制，适用于半桥或全桥拓扑结构中的栅极驱动需求。其输入端兼容广泛的标准逻辑电平，简化了与控制器（如MCU或DSP）之间的接口设计。
　　此外，Si8231AB-B-IS具备强大的抗共模瞬态干扰能力（CMTI），能够有效应对高频开关环境下的噪声干扰，确保驱动信号的稳定性和可靠性。芯片内部还集成有欠压保护（UVLO）功能，在电源电压不足时自动关闭输出，防止功率器件误动作或损坏。
　　该芯片采用宽体SOIC封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于严苛的工业环境。其高隔离等级不仅提高了系统的安全性，也满足了多种国际安全认证标准，为设计人员提供了更高的设计灵活性。

Si8231AB-B-IS广泛应用于各种需要隔离驱动的功率电子系统中，包括工业电机驱动器、伺服控制器、UPS不间断电源、光伏逆变器、电动汽车充电系统、DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）模块以及各类工业自动化设备中的电源管理模块。由于其出色的性能和可靠性，该芯片也非常适合用于需要高安全等级的医疗电子设备和智能电网系统中。

Si8230BB-C-ISR, Si8233BD-B-ISR, ADuM4223-1BRZ, ISO5508DWE