时间：2025/5/21 10:22:45
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GA1210A151GXAAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用中。该芯片具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统效率并降低功耗。
其采用先进的半导体制造工艺，优化了动态特性和静态特性之间的平衡，适用于对效率和可靠性要求较高的场景。
型号：GA1210A151GXAAT31G
类型：N沟道增强型MOSFET
封装形式：TO-263 (DPAK)
漏源极电压(Vds)：120V
连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：8mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷(Qg)：37nC
输入电容(Ciss)：2980pF
输出电容(Coss)：110pF
反向恢复时间(trr)：20ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
结温(Tj)：175°C
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，可支持高频应用，适合现代高效能设计需求。
3. 优异的热性能表现，确保在高负载条件下长期稳定运行。
4. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
5. 小型化封装设计，节省PCB空间，便于紧凑型设计。
6. 具备强大的过流保护和短路耐受能力，增强了系统的安全性。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 太阳能逆变器及其他新能源相关应用。
6. 汽车电子系统中的负载开关和电源管理单元。
GA1210A151GXAAT31T, IRFZ44N, FDP16N12P
