时间：2025/5/23 0:10:29
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SI7956DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TrenchFET Gen III 技术制造。该器件具有低导通电阻和快速开关性能，适合应用于高效能的电源管理场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。其封装形式为小尺寸的 TSOT23-6，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（Rds(on)）：5mΩ
栅极电荷：9nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装：TSOT23-6
SI7956DP-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关性能，支持高频应用。
3. 小巧的 TSOT23-6 封装设计，节省 PCB 空间。
4. 高度可靠的 Vishay TrenchFET 第三代技术，提供出色的热特性和电气性能。
5. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃)，确保在恶劣环境下的稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
SI7956DP-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
2. 各种消费类电子设备中的负载开关和保护电路。
3. 电机驱动和电池管理系统的功率控制。
4. 电信和数据通信设备中的电源模块。
5. 固态继电器和其他需要高效功率切换的应用场景。
SI7450DP, SI4461DY, FDN337N
