时间：2025/5/13 18:28:53
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CDR34BP562AKZMAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高频开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点，能够显著提升系统的效率和可靠性。
类型：MOSFET
封装：TO-247-3
最大漏源电压(Vdss)：650V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：0.04Ω
栅极电荷(Qg)：80nC
输入电容(Ciss)：1800pF
总功耗(Ptot)：200W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
CDR34BP562AKZMAT 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（650V），适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻（0.04Ω），有效降低导通损耗。
3. 快速开关性能，支持高频操作。
4. 内置过温保护功能，提升系统安全性。
5. 封装坚固耐用，具有良好的散热性能。
6. 宽泛的工作温度范围，适应极端环境下的使用需求。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
CDR34BP562AKZMAT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS)。
2. 电机驱动和逆变器控制。
3. DC-DC 转换器及电池管理系统。
4. 太阳能逆变器和工业自动化设备。
5. 高效 LED 驱动电路。
6. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统。
7. 其他需要高效功率转换和控制的应用场景。
CDR34BP562AKZMAJ, CDR34BP562AKZMATL
