时间：2025/6/14 11:14:11
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SI7858ADP-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 没有极结型场效应晶体管（N-Channel Trench Power MOSFET）。该器件采用先进的沟槽技术制造，旨在为高效率和低导通损耗的应用提供卓越性能。其设计适用于多种功率转换和开关应用，并以紧凑的封装形式提供高电流处理能力和较低的导通电阻。
该型号属于 Si78xx 系列，具有出色的热性能和电气特性，适用于消费电子、工业设备以及汽车电子等领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：42A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷（典型值）：155nC
输入电容（典型值）：2890pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263 (DPAK)
SI7858ADP-T1-E3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高整体系统效率。
2. 高电流承载能力，使其适合于大功率应用。
3. 采用了 Vishay 先进的沟槽技术，从而优化了开关性能和热管理。
4. 优秀的热稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 符合 AEC-Q101 标准（适用于汽车级版本），确保在恶劣环境下也能保持高性能。
6. 封装紧凑，节省 PCB 空间，同时提供良好的散热性能。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 汽车电子系统中的各种开关功能，如电动座椅、电动车窗等。
6. 逆变器、LED 驱动器以及其他需要高效功率管理的场景。
SI7476DP, IRF3205, FDP15N60E
