类型：NPN型晶体管
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：50V
　　最大基极电流：20mA
　　耗散功率：200mW
　　增益带宽积：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于电流和型号后缀）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

MMBTSC945P(CR)具有优异的电气性能和稳定性，适用于低功率放大和高速开关应用。
　　其SOT-23封装形式使得该晶体管非常适合表面贴装技术（SMT），从而提高生产效率并减小电路板空间占用。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围较广，通常在110至800之间，能够满足不同应用对放大能力的需求。
　　MMBTSC945P(CR)的增益带宽积为100MHz，这意味着它能够在较高的频率下保持良好的放大性能，适合用于射频（RF）和高速数字电路。
　　此外，该晶体管的功耗较低，有助于提高能效并减少散热问题。
　　由于其广泛的应用兼容性，MMBTSC945P(CR)可以作为许多标准NPN晶体管的替代品，例如BC547、2N3904等，但在高频性能和电流容量上有更好的表现。
　　该器件的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，适合在各种环境条件下使用。

MMBTSC945P(CR)常用于通用电子电路中的信号放大和开关控制。
　　在音频放大器中，它可以作为前置放大器或驱动级放大器，提供良好的信号增益和低噪声性能。
　　在数字电路中，该晶体管可以用于构建逻辑门、缓冲器和驱动器电路，支持高速信号处理。
　　此外，MMBTSC945P(CR)还广泛应用于传感器接口电路、继电器驱动电路、LED驱动电路以及各种低功率电子设备中。
　　由于其高频性能，该晶体管也适用于射频（RF）放大器和振荡器电路，尤其是在低功率无线通信模块中。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，MMBTSC945P(CR)被用于电源管理、信号路由和传感器控制等关键功能。

2SC945, BC547, 2N3904