时间：2025/5/8 13:43:34
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SI7716ADN-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于高频开关应用。它广泛应用于电源管理、电机控制、负载开关和 DC-DC 转换器等场景。
该型号采用了表面贴装封装 (TO-252/DSOP)，能够有效提高散热性能并简化 PCB 设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：19A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷（典型值）：21nC
输入电容（典型值）：1860pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-252 (DSOP)
SI7716ADN-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高开关速度，支持高频操作，适合现代高效能转换器设计。
3. 较小的封装尺寸有助于节省 PCB 空间，并兼容自动贴片工艺。
4. 高温稳定性，能够在极端环境下保持可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球法规要求。
6. 内置反向二极管，提供高效的体二极管功能以处理续流电流。
该芯片适用于多种应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流器。
2. 电池管理系统 (BMS) 中的大电流负载开关。
3. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
4. 通信基础设施中的电源分配网络。
5. 消费类电子产品中的快速充电适配器。
6. 固态继电器和其他需要高性能功率切换的应用。
SI7716DP, IRF7832, AO3400
