时间：2025/8/6 6:37:19
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IXFX74N50P2 是一款由 IXYS 公司制造的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），从而提高了开关性能并减少了开关损耗。该器件采用 TO-247 封装，适用于高功率密度设计。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：74A
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：0.072Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：140nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXFX74N50P2 具有多个关键特性，使其非常适合用于各种高功率应用。首先，该器件的导通电阻非常低，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外，该器件的栅极电荷较低，使得其在高频应用中具有较低的开关损耗。该器件的封装设计允许良好的热管理和高电流承载能力，适合在苛刻的环境条件下工作。其高雪崩能量能力也增强了器件在瞬态条件下的可靠性。此外，该 MOSFET 还具有快速恢复的体二极管，适用于需要反向恢复性能的应用。最后，该器件符合 RoHS 环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。
IXFX74N50P2 广泛应用于各种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、工业自动化系统和太阳能逆变器等。其高效率和高频率操作特性使其成为需要高性能功率开关的理想选择。此外，该器件也可用于音频放大器和其他需要高电流和高耐压能力的电子系统。
IXFX74N50P2
