BUK962R8-60E 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种功率转换应用。其额定电压为60V,适合在中小功率电路中使用。
BUK962R8-60E 的封装形式为PQFN3*3(DPAK),这种封装能够提供良好的散热性能和较小的占板面积,非常适合空间受限的设计。这款MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电机驱动等场合。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:47A
导通电阻(典型值):1.6mΩ
栅极电荷(典型值):25nC
开关时间(典型值):ton=11ns, toff=14ns
结温范围:-55°C至+175°C
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 高电流处理能力,支持高达47A的连续漏极电流。
3. 快速开关特性,降低开关损耗,特别适合高频应用。
4. 优秀的热性能,确保在高功率密度下的稳定运行。
5. 小型化封装设计,便于PCB布局并节省空间。
6. 符合RoHS标准,环保且可靠性高。
1. DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关。
2. 开关电源(SMPS)的功率级元件。
3. 负载开关,用于电池供电设备及消费类电子产品。
4. 电机驱动中的功率控制单元。
5. 充电器和适配器中的功率转换模块。
6. 工业自动化领域的小功率逆变器和驱动器。
NTMFS4C606N, IRF6744TRPBF, AO4402A