时间：2025/4/28 20:01:01
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SI7414DN 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于各种功率开关和负载驱动应用。此型号中的 '-T1-E3' 表示特定的测试和筛选标准版本，确保其在严苛环境下的可靠性。
SI7414DN 主要用于电源管理、电机控制以及电信设备等应用领域。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻（Rds(on)）：0.028Ω
总功耗：1.6W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-252 (DPAK)
SI7414DN 的主要特点是其超低的导通电阻 (Rds(on))，这使得它在功率转换应用中能够显著降低传导损耗并提高效率。此外，该器件具备快速开关速度，减少了开关损耗，从而优化了整体性能。
这款 MOSFET 还支持较高的漏源电压（60V），使其能够在较宽的工作电压范围内稳定运行。同时，其出色的热性能和大电流处理能力，进一步增强了其在多种工业及消费类电子设备中的适用性。
另外，由于采用了 TO-252 封装，该器件具有良好的散热特性和易于焊接安装的特点，简化了 PCB 设计过程。
SI7414DN 广泛应用于需要高效功率切换的场景中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)
2. 电池充电器
3. 固态继电器
4. 电机驱动与控制
5. 工业自动化设备
6. 消费类电子产品中的负载开关
其优异的电气特性和可靠性使其成为这些应用的理想选择。
SI7449DN, IRF7414
