SI7288DP-TI-GE3 时间：2025/8/19 9:01:29 阅读：22

SI7288DP-TI-GE3 是 Vishay Siliconix 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高功率密度，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 (Vds)：30V
　　栅源电压 (Vgs)：±20V
　　连续漏极电流 (Id)：22A
　　导通电阻 (Rds(on))：0.018Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：PowerPAK 8x8
　　

特性

SI7288DP-TI-GE3 MOSFET 采用先进的沟槽型 MOSFET 技术，具备非常低的导通电阻（Rds(on)），有效降低功率损耗，提高系统效率。其高电流承载能力和优异的热性能，使其在高功率应用中表现出色。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 20V 的驱动电压，适用于多种驱动电路设计。SI7288DP-TI-GE3 还具有良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件在高应力工作条件下的可靠性。其封装形式为 PowerPAK 8x8，提供了良好的散热性能，适用于高密度 PCB 设计。
　　在动态性能方面，该 MOSFET 具有快速开关特性，能够减少开关损耗，适用于高频开关电源和同步整流器等应用。此外，其低栅极电荷（Qg）有助于进一步提高开关速度，减少驱动损耗。SI7288DP-TI-GE3 还具备优异的短路耐受能力，能够在极端条件下维持稳定运行。