OM137AHVNT/883B

类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（IC）：1.0 A
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：80 V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：100 V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　最大功耗（PD）：1.25 W
　　最大工作温度：+175°C
　　增益带宽积（fT）：100 MHz
　　封装形式：TO-46 金属罐封装
　　安装方式：通孔安装（Through Hole）
　　引脚数量：3
　　符合标准：MIL-PRF-19500, MIL-STD-883

OM137AHVNT/883B 拥有多项显著的技术特性，使其在高性能和高可靠性应用中表现出色。
　　首先，该晶体管具有高达100V的集电极-基极击穿电压（VCBO），以及80V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），这使得它能够在高压环境中稳定运行，适用于各种电源管理和开关电路。
　　其次，其最大集电极电流可达1A，支持中功率级别的操作需求。同时，器件的增益带宽积（fT）达到100MHz，确保了良好的高频响应能力，适用于射频放大器或高速开关应用。
　　此外，OM137AHVNT/883B采用TO-46金属罐封装，这种封装不仅提供了优良的散热性能，还增强了抗电磁干扰（EMI）的能力，适合在严苛环境如航空航天和军事装备中使用。
　　作为军用级器件，OM137AHVNT/883B通过了MIL-PRF-19500 和 MIL-STD-883 等严格的测试标准，确保其在极端温度、湿度和振动条件下的可靠运行。
　　最后，该器件的工作温度范围广，最高可达+175°C，适应于高温工作环境，减少了额外冷却措施的需求。

OM137AHVNT/883B 主要应用于对可靠性要求极高的军工、航天和工业控制系统中。
　　在航空航天领域，OM137AHVNT/883B 常用于卫星通信系统的电源管理模块、飞行控制计算机中的信号放大电路，以及雷达系统的前置放大器等关键部位。
　　在国防电子设备中，该器件可用于导弹制导系统、电子战设备和战场通信设备的模拟与数字接口电路中，提供稳定可靠的信号处理能力。
　　在工业自动化和控制系统方面，OM137AHVNT/883B 可用于高精度传感器接口、电机驱动电路和工业仪表的输入/输出模块，满足恶劣工况下的长期稳定运行需求。
　　此外，由于其出色的高频性能，OM137AHVNT/883B 还可应用于射频放大器、振荡器和调制解调器等射频电子设备中。

2N3904（民用替代品）
　　BC547（低功率替代）
　　BFQ68（高频应用替代）