时间：2025/8/2 8:59:11
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BSR43是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流和高效率的开关应用。该器件采用先进的技术制造，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。BSR43适用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电机控制等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：140A
导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V时，典型值为2.7mΩ；@Vgs=4.5V时，典型值为4.5mΩ
功率耗散（Ptot）：140W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220、D2PAK（表面贴装）
BSR43的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件在Vgs=10V和Vgs=4.5V下均能提供较低的Rds(on)，使其适用于多种驱动电压环境，包括低压控制系统。
此外，BSR43具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达140A，适合高功率应用。其高耐压能力（Vds=30V）也使其在需要较高电压操作的电路中表现出色。
该MOSFET的封装形式包括TO-220和D2PAK，后者支持表面贴装技术（SMT），适用于自动化生产流程，并提供良好的热管理和电气性能。
BSR43还具备良好的热稳定性，工作温度范围广泛，可在-55°C至+175°C之间正常工作，适应各种恶劣的环境条件。
BSR43广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、工业自动化设备、电池管理系统（BMS）、汽车电子（如车载充电系统、起停系统）等。
在电源管理方面，BSR43可用于高效率的同步整流器和电压调节模块（VRM），提高电源转换效率。在电机控制应用中，由于其高电流承载能力和低导通电阻，BSR43能够有效驱动直流电机和步进电机，减少发热并提高响应速度。
在汽车电子中，BSR43常用于电池管理系统中的高边或低边开关，控制电池的充放电过程，确保系统的安全和稳定运行。其在高温环境下的稳定性能也使其成为汽车应用的理想选择。
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"STP150N3LLFZ, STP150N3LH5, IRF1404, BSC090N15NS5, BSC120N15NS5"
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