时间：2025/5/16 12:24:45
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SI7272DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造，具有低导通电阻和高开关效率的特点，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流以及电机控制等应用领域。
其封装形式为 Thermally Enhanced PowerPAK SO-8（TSSOP），能够提供出色的散热性能，并支持高频开关操作。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：54A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷（典型值）：59nC
输入电容（典型值）：1740pF
工作结温范围：-55℃ to 175℃272DP-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提升整体系统效率。
2. 高额定电流能力，可满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能，降低开关损耗。
4. 先进的 TrenchFET Gen III 技术确保了卓越的电气性能和可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计。
6. 封装具备优秀的热特性和电气隔离能力，适用于紧凑型设计。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 降压或升压型 DC-DC 转换器的核心组件。
3. 各类负载开关，用于动态调节电路中的电流流动。
4. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
5. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动与控制。
6. 汽车电子系统中需要高效功率转换的部分。
SI7460DP, IRF7736, AO3400A
