时间：2025/12/27 3:59:18
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M50FLW080ANB5TG是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的8兆位（Mbit）串行闪存芯片，采用NOR型架构设计，主要面向需要可靠、高速非易失性存储的嵌入式系统应用。该器件具有2.7V至3.6V的宽工作电压范围，适用于多种便携式和工业级电子设备。M50FLW080ANB5TG通过标准的SPI（串行外设接口）或四线I/O接口进行通信，支持高速读取操作，最大时钟频率可达50MHz，能够满足对实时数据访问有较高要求的应用场景。该芯片内置高耐久性的存储单元，可实现多达10万次的编程/擦除周期，并具备长达20年的数据保持能力，确保长期稳定运行。其封装形式为TSOP-48，尺寸紧凑，便于在空间受限的PCB布局中使用。此外，该器件还集成了多种硬件和软件保护机制，防止因意外写入或误操作导致的数据损坏，提升了系统的整体可靠性。
制造商：STMicroelectronics
产品系列：M50FL
存储器类型：NOR Flash
存储容量：8 Mbit
组织结构：512 K × 16 位 / 1024 K × 8 位
工作电压：2.7 V ~ 3.6 V
接口类型：SPI (Serial Peripheral Interface), Quad I/O
时钟频率：最高50 MHz
编程/擦除次数：100,000 次
数据保持时间：20 年
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：TSOP-48
引脚数：48
写保护功能：支持软件与硬件写保护
供电电流（读取）：典型值 15 mA
供电电流（待机）：典型值 10 μA
M50FLW080ANB5TG具备多项先进特性，使其成为高性能嵌入式系统中的理想选择。首先，该芯片支持多种擦除模式，包括扇区擦除（4 KB）、块擦除（32 KB、64 KB）以及全片擦除，用户可根据实际需求灵活选择，有效提升存储管理效率。其次，器件内部集成状态寄存器，允许主机通过读取状态位来监控编程或擦除操作的执行进度，并判断是否完成或发生错误，从而实现精确的流程控制。此外，M50FLW080ANB5TG支持低功耗待机模式，在不进行读写操作时自动进入节能状态，显著降低系统整体功耗，特别适合电池供电设备。
安全性方面，该芯片提供多层次的写保护机制，包括Vpp引脚电压检测、WP#引脚硬件写保护以及通过特定指令序列启用的软件写保护，能有效防止非法或意外的数据修改。同时，它支持电子签名功能，可用于识别芯片型号和制造商信息，便于系统自检和固件验证。在可靠性上，器件采用先进的浮栅技术制造，具备优异的抗辐射和抗干扰能力，可在严苛的工业环境中稳定运行。其TSOP-48封装不仅保证了良好的电气性能，还支持自动化贴片生产，提高制造效率。最后，该芯片符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对绿色环保的要求。
M50FLW080ANB5TG广泛应用于多种需要代码存储和数据记录功能的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业控制系统中的PLC模块和人机界面（HMI），用于存放启动代码、配置参数和操作日志；网络通信设备如路由器、交换机和基站控制器，用作固件存储器以支持快速启动和远程升级；消费类电子产品如数字电视、机顶盒和智能家电，用于保存操作系统和用户设置；汽车电子系统如车载导航仪、仪表盘显示和ECU模块，利用其高可靠性和宽温特性确保行车安全；医疗设备中用于存储校准数据和诊断程序；以及测试测量仪器中作为程序存储介质。由于其支持SPI接口并具备较高的读取速度，该芯片也常被用于需要XIP（就地执行）功能的系统中，即直接从闪存中运行代码而无需加载到RAM，从而节省主控资源并加快响应速度。此外，在一些需要现场升级（FOTA）或远程维护的应用中，M50FLW080ANB5TG的大容量和高耐久性使其能够承受频繁的固件更新操作，保障系统的持续可用性。
M25P80,
M25P80-VME6G,
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