IRLS620A 时间：2025/8/25 7:34:47 阅读：4

IRLS620A是一种常用的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由国际整流器公司（International Rectifier，现为Infineon Technologies的一部分）制造。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载管理等应用。IRLS620A采用先进的沟槽式功率MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合高频开关操作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　漏极连续电流（Id）：5.4A（在25°C）
　　Rds(on)：最大38mΩ（在Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TSOP-6
　　技术：沟槽式MOSFET

特性

IRLS620A是一款高性能MOSFET，采用了沟槽式结构技术，能够显著降低导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗并提高能效。其低导通电阻使其在高电流应用中表现出色，例如电池供电设备和DC-DC转换器。该器件的栅极驱动电压为10V时，Rds(on)仅为38mΩ，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　此外，IRLS620A具有较高的热稳定性和可靠性，适用于严苛的工作环境。其TSOP-6封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的热管理能力，有助于在高功率密度设计中实现紧凑的PCB布局。
　　该MOSFET支持高频开关操作，适用于高频DC-DC转换器、负载开关和电源管理应用。其快速开关特性有助于减少开关损耗，并提高系统响应速度。同时，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±12V），使其适用于多种驱动电路设计。

应用

IRLS620A广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关、电机控制和工业自动化设备。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效电源转换和管理的理想选择。在便携式电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机，IRLS620A可用于电池管理电路和电源开关。在工业应用中，该器件可用于电机驱动、负载控制和高效率电源模块。此外，IRLS620A也常用于电信设备、网络设备和消费类电子产品的电源管理系统。