时间：2025/5/23 20:42:24
阅读：3
SI7201-B-02-FV是由Siliconix（现为Vishay旗下品牌）生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用TrenchFET Gen II技术制造，具有极低的导通电阻和优异的开关性能，广泛适用于各种高效能电源管理应用，包括DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及电机驱动等。
这款MOSFET以其出色的电气特性和紧凑的封装形式著称，能够显著降低系统功耗并提升整体效率。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：4.6A
导通电阻：5.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：7.5nC（典型值）
输入电容：110pF（典型值）
结温范围：-55℃至175℃
封装形式：PowerPAK 1212-8
SI7201-B-02-FV的主要特性如下：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. TrenchFET Gen II技术提供了更小的芯片尺寸和更高的性能。
3. 高效的热性能设计，适合高功率密度应用。
4. 紧凑型表面贴装封装，便于PCB布局优化。
5. 支持高频开关操作，适用于开关电源及同步整流场景。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
SI7201-B-02-FV适用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 各类负载开关，如移动设备中的动态电源分配。
4. 电池供电设备中的保护电路。
5. 小型电机驱动及逆变器控制。
6. 便携式电子产品的高效电源管理系统。
SI7210DP, FDS8940, AO3400
