D4NK60Z 是一款由东芝(Toshiba)生产的高耐压、大电流能力的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及马达驱动等需要高效率功率控制的电路中。该器件采用高性能的U-MOS技术制造,具有低导通电阻(RDS(ON))特性,能够在高频率下工作,从而减小外部电路的尺寸和成本。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):600V
栅源电压(VGS):±30V
连续漏极电流(ID):4.5A(在TC=25℃)
脉冲漏极电流(IDM):18A
导通电阻(RDS(ON)):典型值1.1Ω(最大值1.3Ω)
功率耗散(PD):50W
工作温度范围:-55℃至150℃
封装形式:TO-220
D4NK60Z MOSFET采用先进的U-MOS工艺技术,具有出色的导通和开关性能,适用于各种高效率功率转换应用。其主要特性包括:低导通电阻(RDS(ON))可显著降低导通损耗,提高系统效率;高达600V的漏源击穿电压使其适用于高电压应用场景;最大连续漏极电流为4.5A,在高功率负载下具有良好的电流承载能力;该器件具备较强的抗雪崩能力,确保在突发高电压或电流情况下的稳定性;封装形式为TO-220,便于安装和散热管理。
此外,D4NK60Z的栅极结构设计优化,降低了栅极电荷(Qg),从而减少了开关损耗,使其在高频工作条件下仍能保持高效性能。其栅源电压范围为±30V,允许在较宽的控制电压范围内稳定工作,避免因过压而导致的损坏。器件内部还集成了快速恢复二极管特性,适用于需要反向电流控制的电路设计。
在热性能方面,该MOSFET的热阻(Rth(j-c))较低,有助于将工作过程中产生的热量有效传导至散热片,从而提升器件的长期稳定性和可靠性。此外,其工作温度范围广泛(-55℃至150℃),可在恶劣环境下稳定运行。
D4NK60Z 主要应用于需要高耐压和高效率的电力电子系统中。典型应用包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、LED驱动器、马达控制电路、电池充电器以及各种工业自动化设备中的功率开关电路。该器件还适用于家用电器、智能电表、工业控制模块等场景中的负载切换和电源管理。此外,由于其具备快速开关能力和低导通电阻,特别适合用于需要高频工作的电源转换器中,以减少功率损耗和提高系统效率。
2SK2545, 2SK1318, D4N160Z