D4NK60Z 时间：2025/7/22 8:40:04 阅读：8

D4NK60Z 是一款由东芝（Toshiba）生产的高耐压、大电流能力的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及马达驱动等需要高效率功率控制的电路中。该器件采用高性能的U-MOS技术制造，具有低导通电阻（RDS(ON)）特性，能够在高频率下工作，从而减小外部电路的尺寸和成本。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：4.5A（在TC=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：18A
　　导通电阻（RDS(ON)）：典型值1.1Ω（最大值1.3Ω）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-220

特性

D4NK60Z MOSFET采用先进的U-MOS工艺技术，具有出色的导通和开关性能，适用于各种高效率功率转换应用。其主要特性包括：低导通电阻（RDS(ON)）可显著降低导通损耗，提高系统效率；高达600V的漏源击穿电压使其适用于高电压应用场景；最大连续漏极电流为4.5A，在高功率负载下具有良好的电流承载能力；该器件具备较强的抗雪崩能力，确保在突发高电压或电流情况下的稳定性；封装形式为TO-220，便于安装和散热管理。
　　此外，D4NK60Z的栅极结构设计优化，降低了栅极电荷（Qg），从而减少了开关损耗，使其在高频工作条件下仍能保持高效性能。其栅源电压范围为±30V，允许在较宽的控制电压范围内稳定工作，避免因过压而导致的损坏。器件内部还集成了快速恢复二极管特性，适用于需要反向电流控制的电路设计。
　　在热性能方面，该MOSFET的热阻（Rth(j-c)）较低，有助于将工作过程中产生的热量有效传导至散热片，从而提升器件的长期稳定性和可靠性。此外，其工作温度范围广泛（-55℃至150℃），可在恶劣环境下稳定运行。

应用

D4NK60Z 主要应用于需要高耐压和高效率的电力电子系统中。典型应用包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、LED驱动器、马达控制电路、电池充电器以及各种工业自动化设备中的功率开关电路。该器件还适用于家用电器、智能电表、工业控制模块等场景中的负载切换和电源管理。此外，由于其具备快速开关能力和低导通电阻，特别适合用于需要高频工作的电源转换器中，以减少功率损耗和提高系统效率。