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SI6966EDQ-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/21 18:39:02 查看 阅读:8

SI6966EDQ-T1-GE3 是一款由 Semtech 公司生产的 MOSFET 功率器件,属于 Si6xx 系列。该器件采用先进的工艺技术制造,具备低导通电阻和高开关速度的特性,适用于各种高效能功率转换和负载开关应用。其封装形式为 TOLL(TO Leadless),支持表面贴装,便于自动化生产。此外,它还符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻(典型值):2.8mΩ
  栅极电荷:76nC
  反向恢复时间:70ns
  工作结温范围:-55℃ 至 175℃

特性

SI6966EDQ-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗。
  2. 高效的开关性能,支持高频应用。
  3. 良好的热稳定性,适合在极端温度条件下工作。
  4. 内置防静电保护功能,提升器件可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  6. 封装紧凑,节省 PCB 空间。
  7. 满足汽车电子的严格要求,通过 AEC-Q101 认证。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 汽车 DC-DC 转换器和逆变器。
  2. 工业电机驱动与控制电路。
  3. 高效开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。
  4. 太阳能微逆变器及能量存储系统。
  5. LED 照明驱动器。
  6. 各类负载开关和保护电路。
  7. 电池管理系统中的功率管理模块。

替代型号

SI6964EDQ-T1-GE3
  SI6962EDQ-T1-GE3
  SI6968EDQ-T1-GE3

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SI6966EDQ-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 5.2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)600mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
  • 供应商设备封装8-TSSOP
  • 包装带卷 (TR)