时间：2025/6/11 20:09:42
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SI6966DQ-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，旨在提供低导通电阻和高效率，适用于多种功率转换应用。它具有出色的开关性能和耐热性，适合在高频、高效率场景中使用。
这款 MOSFET 的封装形式为 LFPAK56 (PowerPAK? 8x8)，其紧凑的尺寸和卓越的电气特性使其成为功率管理设计的理想选择。SI6966DQ-T1-GE3 常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等应用领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：27A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：46nC
总电容：455pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：LFPAK56 (PowerPAK? 8x8)
SI6966DQ-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），仅为 1.4mΩ，能够显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力（27A），确保在大电流应用场景下的稳定运行。
3. 使用 TrenchFET? 第三代技术，优化了开关特性和热性能。
4. 快速开关速度，减少了开关损耗，适用于高频应用。
5. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），可在极端环境下可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子设备的要求。
7. 封装采用 LFPAK56 (PowerPAK? 8x8)，具备优异的散热性能和低寄生电感，有助于提升整体系统性能。
SI6966DQ-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. DC-DC 转换器中的同步整流和主开关。
2. 笔记本电脑、服务器和其他计算设备中的负载开关。
3. 工业电机驱动和控制电路。
4. 多种类型的电源管理系统，如适配器、充电器和分布式电源架构。
5. 可再生能源领域的功率转换设备，例如太阳能逆变器。
6. 电动车和混合动力汽车中的电池管理和电机驱动应用。
7. 高效 LED 驱动器和照明解决方案。
SI7460DP, IRF7738PBF, AO3400A
