工作频率范围：DC至4GHz
　　最大输出功率：4W（典型值）
　　漏极效率：超过70%
　　增益：20dB（典型值）
　　工作电压：28V
　　输入阻抗：50Ω（标称值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：贴片封装（SMD）
　　热阻：2.5°C/W
　　线性度：高线性输出能力
　　射频输入功率：最大0.1W

QPX0004D采用GaN技术，这使得它在高频率和高功率应用中表现出色。GaN材料的优势在于其宽禁带特性，这使得晶体管能够在更高的电压下工作，同时保持较低的导通损耗和开关损耗。此外，QPX0004D的高效率特性可以显著减少能量损耗，从而提高整体系统效率并降低散热需求。该器件具有高增益，在射频信号放大中可以提供稳定且强大的输出信号。
　　QPX0004D的封装设计考虑了高频应用的需求，其引脚布局优化以减少寄生效应，确保在高频下的稳定性和可靠性。该器件还具有出色的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行而不会影响性能。这种特性使其适用于需要长时间高功率运行的应用场景，如工业设备和通信基础设施。
　　在射频性能方面，QPX0004D表现出良好的线性度和稳定性。线性度是射频放大器的一个关键指标，它决定了放大器在处理复杂调制信号时的失真程度。QPX0004D的高线性度使其适用于需要高质量信号传输的应用，如无线通信和雷达系统。此外，该器件的宽工作温度范围使其能够在极端环境下正常工作，提高了其在各种应用场景中的适应性。

QPX0004D主要用于射频通信系统中的功率放大环节，例如在无线基站、微波通信设备和卫星通信系统中。由于其高效率和高增益特性，该器件特别适合用于需要高功率输出和低功耗的通信设备。此外，QPX0004D也广泛应用于雷达系统，作为发射机中的关键功率放大元件。在雷达应用中，QPX0004D的高线性度和稳定性可以确保雷达信号的准确发射，从而提高雷达系统的探测精度和可靠性。
　　除了通信和雷达应用，QPX0004D还可用于工业和测试设备中。例如，在工业加热设备中，QPX0004D可以用作射频能量源，提供稳定的射频功率输出。在测试设备中，该器件可以作为射频信号发生器或功率放大器的核心组件，用于测试和验证其他射频设备的性能。由于其宽工作温度范围和高可靠性，QPX0004D也适用于一些极端环境下的应用，如航空航天和军事设备。

QPX0004D的替代型号包括Qorvo的QPX0008和QPX0016D，它们在输出功率和频率特性上有所不同，但同样基于GaN技术，适用于类似的射频放大应用场景。此外，其他厂商如Cree/Wolfspeed和NXP也提供类似性能的射频功率晶体管，如Cree的CGH40010F和NXP的MRFE6VP61K25H。这些替代型号在某些应用中可以作为QPX0004D的备选，但需要根据具体的设计需求进行匹配和验证。