晶体管类型：NPN
　　配置：双晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-363（SC-88）
　　增益（hFE）：110（最小）至800（最大）
　　频率响应：100MHz（典型）
　　安装类型：表面贴装

LBC857BTT1G具备多个显著的电气和封装特性，使其在多种电子应用中表现出色。首先，该器件的集电极-发射极电压（VCEO）为100V，使其适用于中高压应用，同时最大集电极电流为100mA，满足大多数低功耗电路的需求。该晶体管的hFE（电流增益）范围广泛，从110到800，可根据不同的应用需求提供良好的放大性能。
　　其次，LBC857BTT1G采用SOT-363（SC-88）封装，具有非常紧凑的外形，非常适合用于空间受限的电路板设计。这种封装方式支持表面贴装技术（SMT），不仅提高了组装效率，还增强了器件的热管理和可靠性。
　　此外，LBC857BTT1G的工作温度范围宽广，可在-55°C至150°C之间正常运行，适应各种恶劣环境条件下的稳定工作。这一特性使其特别适合用于工业控制、汽车电子和户外设备等对环境适应性要求较高的领域。
　　在高频应用方面，LBC857BTT1G的典型频率响应可达100MHz，能够支持快速开关和射频信号处理等应用场景。同时，其低饱和压降（VCE(sat)）特性也使其在功率控制和驱动电路中表现优异，降低了能耗并提高了系统效率。
　　综上所述，LBC857BTT1G凭借其高电压耐受能力、优异的增益特性、紧凑的封装设计以及宽广的工作温度范围，成为一款适用于多种电子电路设计的高性能晶体管阵列器件。

LBC857BTT1G广泛应用于多个电子领域。在数字逻辑电路中，它常被用于电平转换、信号放大和驱动控制。在工业自动化设备中，LBC857BTT1G可用于传感器信号处理、继电器驱动和电机控制等场景。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和家用电器中，该器件可用于电源管理、接口电路和LED驱动控制等。
　　汽车电子领域也是LBC857BTT1G的重要应用方向，例如在车载娱乐系统、车身控制模块（BCM）以及照明控制系统中，该晶体管阵列可用于驱动继电器、LED灯和小型电机等负载。此外，它还可用于通信设备中的信号处理电路、无线模块的天线开关控制以及RF电路的前置放大等场景。
　　在电源管理方面，LBC857BTT1G可用于开关电源、DC-DC转换器以及电池充电管理电路中的控制部分。其低饱和压降和高频响应特性使其在这些应用中能够实现高效的能量转换和稳定的控制性能。
　　由于LBC857BTT1G的封装小巧且性能稳定，它也常被用于便携式设备和物联网（IoT）设备中的传感器接口电路、无线通信模块的控制信号处理等场合。

BC847BDS, 2N3904, 2N2222, MMBT3904, MMBT2222