时间：2025/8/5 12:12:08
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DSB10P60PN是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，适用于各种电源管理和功率转换系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A
漏源极击穿电压（VDS）：60V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（最大）
封装形式：TO-252（DPak）
工作温度范围：-55°C至150°C
DSB10P60PN具有低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高效率。该MOSFET采用先进的沟槽技术，提供优异的热性能和高可靠性。其高耐压特性使其适用于多种高压电源应用。TO-252封装形式有助于快速散热，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和高密度PCB布局。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态过电压和高能脉冲。
该器件的栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V或12V驱动电路，同时具备较低的阈值电压，确保快速开关。其高电流能力使其适用于电机驱动、电源转换器、电池充电器和DC-DC转换器等高功率应用场景。
DSB10P60PN广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池充电器、工业自动化设备和汽车电子系统。该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的电源设计，例如服务器电源、通信设备电源、工业控制模块和便携式电子设备的电源管理单元。
TK10A60D、IRFZ44N、Si444N、FDN340P
