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SI6447DQ-T1 发布时间 时间:2025/5/20 11:26:12 查看 阅读:4

SI6447DQ-T1 是一款由 Semtech 公司生产的高性能 MOSFET 功率开关器件。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备领域中的电源管理与负载切换场景。
  这款功率开关特别适合用于需要高效能和小尺寸解决方案的应用中,例如移动设备充电器、适配器、DC-DC 转换器以及多相电压调节模块等。

参数

类型:MOSFET
  封装:DFN5x6-8L
  额定电压(Vds):30V
  额定电流(Id):28A
  导通电阻(Rds(on)):1.3mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):17nC(最大值)
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  输入电容(Ciss):1150pF
  输出电容(Coss):25pF

特性

SI6447DQ-T1 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够显著减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高频操作,适用于现代高效的开关模式电源设计。
  3. 小型化的 DFN5x6-8L 封装,节省 PCB 空间,非常适合紧凑型应用。
  4. 强大的过流保护功能和热关断机制,确保在异常条件下也能安全运行。
  5. 支持表面贴装技术 (SMT),简化了生产工艺并提高了可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球市场的法规要求。

应用

SI6447DQ-T1 主要应用于以下领域:
  1. 移动设备充电器和 USB-PD 控制器。
  2. 便携式电子产品中的 DC-DC 转换器。
  3. 多相电压调节模块 (VRM) 和负载点转换器 (POL)。
  4. 工业自动化设备中的电机驱动和负载切换。
  5. 消费类电子产品的电源管理系统。
  6. 通信基础设施中的高效电源模块。

替代型号

SI6446DQ-T1
  IRLDS6447
  AO6447

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SI6447DQ-T1参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压- 20 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流+/- 3.2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.09 Ohms
  • 配置Single Triple Drain Quad Source
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSSOP-8
  • 封装Reel
  • 下降时间13 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1.5 W
  • 上升时间13 ns
  • 工厂包装数量3000
  • 典型关闭延迟时间30 ns