CM1216-08MR 是一款基于 CMOS 工艺的 16K x 8 位静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片具有高速读写能力、低功耗特性以及高可靠性,广泛应用于需要快速数据访问和临时存储的应用场景。其内部结构由静态存储单元组成,确保数据在电源供应期间能够持续保存。CM1216-08MR 支持标准的 TTL 和 CMOS 电平输入输出,便于与多种数字系统集成。
该芯片采用标准的 28 引脚 DIP 或 SOP 封装形式,引脚布局设计紧凑,适合各种嵌入式系统应用。
存储容量:16K x 8 位
地址线:14 条
数据线:8 条
工作电压:5V ± 0.25V
工作电流:最大 20mA
访问时间:70ns 典型值
功耗:50mW 最大值(典型工作状态)
封装形式:DIP-28 / SOP-28
工作温度范围:0°C 至 +70°C (商业级)
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
CM1216-08MR 提供了出色的性能和可靠性,主要特性包括以下几点:
1. 高速数据访问能力,访问时间仅为 70 纳秒,适用于实时处理需求较高的场合。
2. 静态存储技术,无需刷新电路即可保持数据完整性。
3. 超低功耗设计,在待机模式下进一步降低能耗。
4. 支持全静态操作,无需时钟信号即可正常运行。
5. 三态输出缓冲器设计,允许多个设备共享数据总线。
6. 输入输出兼容标准的 TTL 和 CMOS 电平,易于与其他逻辑电路集成。
7. 提供全面的保护机制,如过压保护和静电防护功能,确保器件在复杂环境下的稳定性。
CM1216-08MR 可用于多种电子系统中,具体应用场景如下:
1. 嵌入式控制系统中的临时数据存储。
2. 工业自动化设备中的程序缓存。
3. 图形显示控制器的数据缓冲区。
4. 医疗设备中的快速数据采集和存储。
5. 通信系统中的数据包暂存。
6. 游戏机或多媒体播放器中的图像和音频数据缓存。
7. 测试测量仪器中的高速数据记录模块。
由于其高性能和可靠性,CM1216-08MR 成为许多对速度和稳定要求较高的应用的理想选择。
CY1216-08MR, HM1216-08MR, TC5116M