时间：2025/6/30 21:15:49
阅读：4
SI6433DQ-T1 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有极低的导通电阻和高效率开关性能。其设计适合高频开关应用以及负载切换场景，能够显著降低功耗并提升系统效率。
型号：SI6433DQ-T1
类型：N 沀道 MOSFET
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：2.8mΩ
Id（连续漏极电流）：64A
Vgs(th)（栅极开启电压）：1.5V 至 2.5V
封装形式：TO-263-3 (D2PAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
逻辑电平兼容：支持
功率耗散（最大）：109W
SI6433DQ-T1 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗。
2. 高电流处理能力，最高支持 64A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 支持宽范围的工作温度，能够在极端环境下可靠运行。
5. 采用逻辑电平驱动设计，便于与现代控制电路集成。
6. 小巧的 TO-263-3 (D2PAK) 封装，适合空间受限的应用场景。
7. 高耐用性和可靠性，适用于工业、汽车及消费类电子设备。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器中的高效功率开关。
3. 电机驱动和电池管理系统的功率级。
4. 通信设备中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 汽车电子中的大电流负载控制。
7. 消费电子产品中的高效电源管理解决方案。
SI6432DY-T1, SI6433DY-T1, IRF6433ZPBF
