时间：2025/6/27 9:58:19
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CGA3E2NP02A561J080AA 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该型号采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，能够有效降低能耗并提升系统性能。
此器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有出色的开关特性和热稳定性，适合需要高效能和高可靠性的应用场合。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：77nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
CGA3E2NP02A561J080AA 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在典型条件下仅为 1.4mΩ，从而显著降低导通损耗。
2. 高额定电流能力，支持高达 90A 的连续漏极电流，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能，具有较小的栅极电荷 (Qg)，可实现高效的高频开关操作。
4. 出色的热稳定性，能够在极端温度环境下保持稳定的性能。
5. 小封装设计，便于在空间受限的应用中使用，同时提供良好的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
这款 MOSFET 器件适用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
4. 新能源汽车中的 DC/DC 转换器和逆变器模块。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制和保护功能。
6. 其他需要高效功率转换和开关操作的电子设备。
CGA3E2NP02A561J080AB, CGA3E2NP02A561J080AC
