时间：2025/9/10 1:26:16
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MVK25VC47RM8X6TP 是一款由 Vishay Siliconix 制造的表面贴装 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款 MOSFET 具有高性能和可靠性，适用于各种电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗，提高系统效率。其封装形式为 8-PowerTDFN，具有较小的封装尺寸，适合高密度电路设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：25 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：6 A
导通电阻（Rds(on)）：23 mΩ @ Vgs = 10 V
导通电阻（Rds(on)）：33 mΩ @ Vgs = 4.5 V
功率耗散（Pd）：3.1 W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：8-PowerTDFN
MVK25VC47RM8X6TP 采用先进的沟槽型 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），在 10V 和 4.5V 的栅极驱动电压下分别达到 23mΩ 和 33mΩ。这种低 Rds(on) 特性有助于减少导通损耗，提高能效，尤其适用于需要高效率的电源转换器和负载开关应用。
该 MOSFET 的最大漏极电流为 6A，能够承受较高的电流负载，同时保持较低的温升。其栅极驱动电压范围为 ±20V，确保在各种工作条件下都能稳定运行。MVK25VC47RM8X6TP 还具有良好的热稳定性，能够在 -55°C 至 150°C 的温度范围内正常工作，适用于各种工业和消费类电子产品。
该器件采用 8-PowerTDFN 封装，具有较小的体积和良好的散热性能，适合高密度 PCB 设计。此外，该封装形式支持表面贴装工艺，便于自动化生产并提高焊接可靠性。MVK25VC47RM8X6TP 还具有出色的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保护电路免受损坏。
MVK25VC47RM8X6TP 主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、便携式设备电源管理以及电机控制等场景。由于其低导通电阻和高电流能力，该 MOSFET 非常适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理电路中。此外，该器件也广泛应用于服务器电源、通信设备、LED 驱动器以及各种工业自动化控制系统。
Si2302DS, AO4406A, FDS6680, IRF7413
